

miniled介紹:
Mini LED,又名次毫米發光二極管,是指晶粒尺寸約在 50-200μm 的 LED,其晶粒尺寸和點間距介于傳統小間距 LED 和 Micro
LED 之間。
Mini LED 作為(wei) Micro LED 的(de)(de)(de)前哨站,在(zai) Micro LED 之后被提出。由于(yu) Micro LED 存在(zai)微縮制(zhi)程、巨(ju)量轉移及全彩化等關鍵技(ji)術(shu)瓶(ping)頸以(yi)及高(gao)成本問題(ti),故先(xian)發(fa)展晶粒(li)尺(chi)寸更(geng)大(da)、仍可使(shi)用傳統制(zhi)程技(ji)術(shu)、技(ji)術(shu)實(shi)(shi)現(xian)難度(du)更(geng)低的(de)(de)(de) Mini LED 作為(wei)過(guo)(guo)渡。結合倒裝 COB 或 IMD 技(ji)術(shu), Mini LED 可實(shi)(shi)現(xian) 1 mm 以(yi)下點間(jian)距(ju)顯(xian)(xian)(xian)(xian)示(shi),像素密度(du)高(gao)于(yu)小間(jian)距(ju) LED 且可實(shi)(shi)現(xian)低亮度(du)下高(gao)灰(hui)度(du)顯(xian)(xian)(xian)(xian)示(shi)。同(tong)時(shi),Mini LED 作為(wei)背光源應(ying)用于(yu)液晶顯(xian)(xian)(xian)(xian)示(shi)屏,可通過(guo)(guo)區域調(diao)光提高(gao)對比度(du),實(shi)(shi)現(xian)HDR 等精細化顯(xian)(xian)(xian)(xian)示(shi)效果。能夠讓 LCD 面對 OLED 挑戰(zhan)時(shi)能夠在(zai)顯(xian)(xian)(xian)(xian)示(shi)性能方面恢復競爭(zheng)力, 加上成熟的(de)(de)(de)工藝(yi)和更(geng)長的(de)(de)(de)壽命(ming),LCD + Mini LED 背光在(zai)近幾(ji)年中(zhong)大(da)尺(chi)寸顯(xian)(xian)(xian)(xian)示(shi)領域有非常巨(ju)大(da)的(de)(de)(de)發(fa)展空(kong)間(jian)。
oled介紹:
OLED 即有(you)機發光(guang)二極(ji)管,典型結(jie)構以 ITO(氧(yang)化銦錫)導(dao)電薄膜為(wei)陽極(ji)、金(jin)屬為(wei)陰極(ji),中(zhong)間沉淀有(you)機發光(guang)材料為(wei)發光(guang)層。
OLED 優點:
顯(xian)示(shi)(shi)技術利用有(you)機材料自發光(guang),具有(you)柔性顯(xian)示(shi)(shi)、透明(ming)顯(xian)示(shi)(shi)、高(gao)對比度、廣視角(jiao)、廣色域、輕薄等。
oled缺點:
1,量產(chan) OLED 藍色(se)磷(lin)光材料(liao)壽命(ming)偏短問(wen)題仍未得到(dao)解決,目前已(yi)熒(ying)光材料(liao)為主,發(fa)光效率偏低;
2,由(you)于藍光壽命低于紅、綠(lv)光,部分工作時間更長的(de)像素點(dian)加速老化導(dao)致屏(ping)幕可能出現 燒屏(ping)現象(xiang);
3,有機材料在有水汽和氧存在的條件下容易發生光氧化反應,因此對有機成膜技術、器件封裝技術精密度要求高,抬高了 OLED 的成本;
4,當前 OLED 尤其是大尺寸的良率偏(pian)低(di)。
經過對miniled和oled的分析我們不難得出:Mini LED背(bei)光(guang)在實現高分辨率、高對比度及 HDR、搭配柔性(xing)(xing)(xing)(xing)基板可實現高曲(qu)面(mian)背(bei)光(guang)等優秀顯示(shi)性(xing)(xing)(xing)(xing)能基礎上(shang),由于采(cai)用無機材(cai)料,與 OLED 相比具有(you)更長壽命、更高可靠(kao)性(xing)(xing)(xing)(xing)及環境適應性(xing)(xing)(xing)(xing),且無燒屏(ping)現象(xiang)。據中關村(cun)在線,采(cai)用 Mini LED 直下式(shi)背(bei)光(guang)的電(dian)視成本將低于 OLED 20~30%。
